產品與方案

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SGT MOSFET

HYG050N08NS1C2

HYG050N08NS1C2

此器件為 80V、4.1mΩ、PDFN8L(5x6)封裝產品,采用SGT流片工藝,該器件適合較高頻率應用,可滿足同步整流,電機驅動,高頻DC-DC轉換等應用領域。

特性

低內阻

優異的QG

符合RoHS標準

100% DVDS測試

100% UIL測試 


優勢

通態損耗小

抗沖擊能力強

穩定的工藝能力

高可靠性

優異的導熱及散熱性能力 


應用

電機驅動,鋰電池保護板   

HYG050N08NS1C2

模型

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