封測技術服務

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封裝技術優勢

大功率IGBT封裝

技術介紹

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極結型晶體三極管)和MOS(絕緣柵場效應管)組成的復合全控型-電壓驅動式功率半導體器件,其具有自關斷的特征。


技術特點

●   無鉛軟焊料高可靠性粘片技術;
●   超薄芯片的封裝技術;
●   鍍鎳框架粗鋁線高可靠性鍵合技術;
●   高性能銅片、鋁帶鍵合以及混合鍵合技術;
●   使用高可靠的綠色環保型塑封料解決防分層、防溢料技術,
●   使用DBC進行高電壓、大電流多芯片封裝技術;
●   高可靠性功率器件實驗及失效分析技術。


應用領域

IGBT廣泛應用于工業、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航天航空、國防軍工等傳統產業領域。

大功率IGBT封裝

產品的封裝形式

封裝名稱 封裝外形 封裝名稱 封裝外形
TO-220 TO-3P
TO-263 TO-247
TO-220F TO-264
封裝名稱 封裝外形
TO-220
TO-3P
TO-263
TO-247
TO-220F
TO-264
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