
技術特點
● 開發SiC、GaN晶圓劃片技術;
● 軟焊料以及高導熱燒結納米銀漿的運用;
● DBC多芯片堆疊封裝技術;
● 高性能銅片、鋁帶焊接以及混合焊接的技術;
● SiC超薄芯片的封裝技術;
● 產品電壓能做到3300V,達到AECQ101的考核標準;
● 使用高可靠的綠色環保型塑封料。
應用領域
第三代半導體應用于手機充電器、5G基站、電動汽車、軍事領域等。
封裝名稱 | 封裝外形 | 封裝名稱 | 封裝外形 |
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TO-220 | ![]() |
TO-3P | ![]() |
TO-263 | ![]() |
TO-247 | ![]() |
TO-220F | ![]() |
TO-264 | ![]() |
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